輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：1ms。
32點1個公共端。
源型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間Q170MCPU-S1
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
超高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。安裝DIN導(dǎo)軌用的適配器。
用于Q38B-E、Q312B-E、Q612B、Q38RB、Q68RB、Q65WRB、Q38DB、Q312DB。SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。輸入：2通道。
200/100/10kpps。
計數(shù)器輸入信號：DC5/12/24V。
外部輸入：DC5/12/24V。
統(tǒng)一輸出：晶體管(漏型)。
DC12/24V。
0.1A/點。
0.4A/公共端。
40針連接器。
支持高分辨率設(shè)備。滿足高速高精度控制應(yīng)用的脈沖輸入、高速計數(shù)器模塊產(chǎn)品群。
對高速脈沖串進(jìn)行計數(shù)的高速計數(shù)器模塊。
可與外部編碼器組合使用進(jìn)行定位等控制。
可切換最高計數(shù)速度，對從高速脈沖到上升沿/下降沿平緩的低頻脈沖進(jìn)行計數(shù)。
每個1通道配備2點的外部一致輸出。
可根據(jù)用途選擇“一致輸出功能”、“連續(xù)比較功能”，實現(xiàn)外部設(shè)備的高速控制。（QD64D2）
提提供多種功能，例如一致輸出測試功能（使用連續(xù)比較功能時）、預(yù)設(shè)功能、鎖存計數(shù)器功能，
以滿足各種應(yīng)用用需求。（ QD64D2）
輸入脈沖的最高計數(shù)速度可達(dá)8Mpps （差分輸入、2相4倍頻時）。
可在半導(dǎo)體、液晶制造等對位置精度要求高的設(shè)備中，
使用高分辨率編碼器執(zhí)行精確的位置跟蹤。（ QD65PD2）