輸入輸出點(diǎn)數(shù)：1024點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：60k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段：按用戶程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令，
經(jīng)相應(yīng)的運(yùn)算和處理后，其結(jié)果再寫入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變?nèi)饽K 編程手冊QD51-R24
輸出刷新階段：當(dāng)所有指令執(zhí)行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅(qū)動相應(yīng)輸出設(shè)備工作。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)三菱模塊 編程手冊。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)三菱模塊 編程手冊。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域QD51-R24編程手冊。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間QD51-R24編程手冊。用于16點(diǎn)I/O。0.3至1.5mm2(AWG22至16)。SRAM存儲卡。
RAM容量：512KB。電纜長3.0米。
用于連接擴(kuò)展基板。輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100；Ni100)QD51-R24編程手冊。
轉(zhuǎn)換速度：40ms/1通道。
18點(diǎn)端臺。
通道之間隔離。
鉑熱電阻（Pt100、JPt100）。
鎳熱電阻（Ni100）。
脫落檢測功能。
轉(zhuǎn)換速度：320ms/8通道。
通道間隔離。
40針連接器。
最適合用于過程控制的隔離模擬量模塊。
可通過連接熱電偶/熱電阻來收集溫度數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型。
客戶可根據(jù)預(yù)期用途選擇最適合的型號。
縮短系統(tǒng)停機(jī)復(fù)原時間。
只需簡單的操作，即可將CPU內(nèi)的所有數(shù)據(jù)備份到存儲卡中。
通過定期備份，可始終將最新的參數(shù)、程序等保存到存儲卡。
在萬一發(fā)生CPU故障時，在更換CPU后，可通過簡單的操作，
通過事前備份了數(shù)據(jù)的存儲卡進(jìn)行系統(tǒng)復(fù)原。
因此，無需花費(fèi)時間管理備份數(shù)據(jù)，也可縮短系統(tǒng)停機(jī)時的復(fù)原時間。
自動備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)

將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失三菱模塊 編程手冊QD51-R24手冊。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機(jī)時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復(fù)。