輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5～24V 0.2A/1點(diǎn)。
2A/1公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：1ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端。
漏型三菱Q06CCPU-V-B編程手冊(cè)。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶短路保護(hù)。
帶浪涌吸收器。
超高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的Q06CCPU-V-B
通過(guò)超高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界三菱Q06CCPU-V-B編程手冊(cè)。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間三菱Q06CCPU-V-B編程手冊(cè)。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。應(yīng)用：Q系列用。
適合安全標(biāo)準(zhǔn)：EN954-1類(lèi)別4，ISO13849-1 PLe。
安全輸入點(diǎn)數(shù)：1點(diǎn)。
增設(shè)臺(tái)數(shù)：增設(shè)用安全繼電器模塊最多3臺(tái)。
使用專(zhuān)用設(shè)定監(jiān)控工具直觀觀地進(jìn)行配置Q06CCPU-V-B手冊(cè)。
構(gòu)成設(shè)定使用豐富的組件可輕松、快捷地設(shè)定硬件構(gòu)成。
創(chuàng)建邏邏輯對(duì)于安全設(shè)備，通過(guò)使用自動(dòng)生成的標(biāo)簽的FB可以方便地創(chuàng)建邏輯Q06CCPU-V-B手冊(cè)。
邏輯的導(dǎo)入和導(dǎo)出。
可以只把對(duì)輸入輸出模塊的連接設(shè)定和通過(guò)功能塊創(chuàng)建的應(yīng)用邏輯作為一個(gè)設(shè)定文件進(jìn)行存儲(chǔ)，
或者從已保存設(shè)定文件進(jìn)行讀取。