運(yùn)算控制方式:存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù):4096點(diǎn)。
程序容量:40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的最小間隔可縮短到50μs,
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號三菱RV-3SD3SDJ標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格手冊。
此外,還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度,在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序
RV-3SD3SDJ
因此,在高速讀取信號時(shí),也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后,
可擴(kuò)展最多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域,
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此,可輕松進(jìn)行編程,而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界三菱RV-3SD3SDJ標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格手冊。
此外,還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。輸出點(diǎn)數(shù):32點(diǎn)。
輸出形式:晶體管(源型)輸出。
額定開閉電壓、電流:-。
額定負(fù)載電壓:DC12~24V。
最大負(fù)載電流:0.1A/點(diǎn)。
響應(yīng)時(shí)間:1ms以下。
公共端方式:32點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能(過載、過熱):有。
外部配線連接方式:40針連接器。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu),
包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型。
可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同,選擇最適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器運(yùn)算控制方式:存儲程序反復(fù)運(yùn)算三菱RV-3SD3SDJ標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格手冊。
輸入輸出點(diǎn)數(shù):4096點(diǎn)。
程序容量:40K。
可編程控制器CPU模塊通過新開發(fā)的順控執(zhí)行引擎和高速系統(tǒng)總線,
可最大限度發(fā)揮MELSEC iQ-R系列的性能和功能。
此外,通過使用了運(yùn)動(dòng)CPU模塊的多CPU系統(tǒng),
可實(shí)現(xiàn)高精度的運(yùn)動(dòng)控制。
而且還可使用從計(jì)算機(jī)/微機(jī)環(huán)境移植的C語言控制器模塊等具有特定功能的CPU。
最多1200K步的程序容量。
實(shí)現(xiàn)高精度運(yùn)動(dòng)控制的多CPU系統(tǒng)。
CPU模塊內(nèi)置2個(gè)支持千兆位的網(wǎng)絡(luò)端口。
便于于進(jìn)行數(shù)據(jù)管理的數(shù)據(jù)庫功能RV-3SD3SDJ手冊。
內(nèi)置安全功能的擴(kuò)展SRAM卡。
可進(jìn)行各種運(yùn)動(dòng)動(dòng)控制(位置、速度、扭矩、高級同步控制等)RV-3SD3SDJ手冊。
符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)( ISO 13849-1 PL e、 IEC 61508 SIL 3)的安全CPU。
最適合從計(jì)算機(jī)/微機(jī)環(huán)境進(jìn)行移植的C/C++語言編程。